Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“. Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas. 2000.
Heterojunction bipolar transistor — Der Heterojunction Bipolar Transistor (HBT bzw. HJBT, dt. »Bipolartransistor mit Heteroübergang«) ist ein Bipolartransistor (BJT), dessen Emittermaterial anders als das der Basis gewählt ist. Dabei entsteht die namensgebende Heterostruktur.… … Deutsch Wikipedia
Physiknobelpreis 1956: John Bardeen — Walter Houser Brattain — William Shockley — Die drei amerikanischen Physiker erhielten den Nobelpreis für »ihre Untersuchungen über Halbleiter und die Entdeckung des Transistoreffekts«. Biografien John Bardeen, * Madison (Wisconsin) 23. 5. 1908, ✝ Boston (Massachusetts) 30. 1. 1991; … Universal-Lexikon
hole injection — skylių injekcija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
injection des trous — skylių injekcija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
skylių injekcija — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
инжекция дырок — skylių injekcija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. hole injection vok. Löcherinjektion, f rus. инжекция дырок, f pranc. injection des trous, f … Radioelektronikos terminų žodynas
